Formel Energielücke von Silizium (Temperaturabhängigkeit)
$$W_{\text g} ~=~ 1.165\,\text{eV} - 2.84 \cdot 10^{-4} \, \frac{ \text{eV} }{ \text{K} } \cdot T$$ $$W_{\text g} ~=~ 1.165\,\text{eV} - 2.84 \cdot 10^{-4} \, \frac{ \text{eV} }{ \text{K} } \cdot T$$
Bandlücke
$$ W_{\text g} $$ Einheit $$ \mathrm{J} $$ Energielücke von Silizium (Si), also der Energieabstand zwischen dem Valenzbandmaximum und Leitungsbandminimum.
Temperatur \(T\) | Energielücke \(W_{\text g}\) |
---|---|
0 K | 1.165 eV |
300 K | 1.08 eV |
1000 K | 0.881 eV |
Diese Formel für die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke ist ein experimenteller Fit.
Temperatur
$$ T $$ Einheit $$ \mathrm{K} $$ Temperatur des Silizium-Materials in Kelvin. Die Bandlücke nimmt linear mit der Temperatur ab.