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Formel Energielücke von Silizium (Temperaturabhängigkeit)

Formel: Energielücke von Silizium (Temperaturabhängigkeit)

Bandlücke

Einheit
Energielücke von Silizium (Si), also der Energieabstand zwischen dem Valenzbandmaximum und Leitungsbandminimum.
Temperatur \(T\)Energielücke \(E_{\text g}\)
0 K1.165 eV
300 K1.08 eV
1000 K0.881 eV
Bandlücke von Siliizium für drei verschiedene Temperaturen.

Diese Formel für die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke ist ein experimenteller Fit.

Temperatur

Einheit
Temperatur des Silizium-Materials in Kelvin. Die Bandlücke nimmt linear mit der Temperatur zu.