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Level 3
Level 3 setzt die Grundlagen der Vektorrechnung, Differential- und Integralrechnung voraus. Geeignet für Studenten und zum Teil Abiturienten.

Formel: Energielücke von Silizium (Temperaturabhängigkeit)

\[ E_{\text g} ~=~ 1.165\,\text{eV} - 2.84 \cdot 10^{-4} \, \frac{ \text{eV} }{ \text{K} } \cdot T \] \[ E_{\text g} ~=~ 1.165\,\text{eV} - 2.84 \cdot 10^{-4} \, \frac{ \text{eV} }{ \text{K} } \cdot T \]

Bandlücke

\( E_{\text g} \)
Einheit \( \text{eV} \)
Energielücke von Silizium (Si), also der Energieabstand zwischen dem Valenzbandmaximum und Leitungsbandminimum.
Temperatur \(T\)Energielücke \(E_{\text g}\)
0 K1.165 eV
300 K1.08 eV
1000 K0.881 eV
Bandlücke von Siliizium für drei verschiedene Temperaturen.

Diese Formel für die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke ist ein experimenteller Fit.

Temperatur

\( T \)
Einheit \( \text{K} \)
Temperatur des Silizium-Materials in Kelvin. Die Bandlücke nimmt linear mit der Temperatur zu.
Details zur Formel
  • Zusammenfassung: Experimentelle Formel, mit der du die Bandlücke (Energielücke) von Silizium berechnen kannst, wenn Temperatur gegeben ist.
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