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Formel Energielücke von GaAs (Temperaturabhängigkeit)

Formel: Energielücke von GaAs (Temperaturabhängigkeit)

Bandlücke

Einheit
Energielücke von Galliumarsenid (GaAs), also der Energieabstand zwischen dem Valenzbandmaximum und Leitungsbandminimum.
Temperatur \(T\)Energielücke \(E_{\text g}\)
0 K1.522 eV
300 K1.435 eV
1000 K1.076 eV
Bandlücke von GaAs für drei verschiedene Temperaturen.

Diese Formel für die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke ist ein experimenteller Fit.

Temperatur

Einheit
Temperatur des GaAs-Materials in Kelvin. Die Bandlücke nimmt linear mit der Temperatur zu.