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Formel p-n-Übergang Breite der Raumladungszone    Akzeptorkonzentration    Donatorkonzentration    Diffusionsspannung   

Formel: p-n-Übergang

Breite der Raumladungszone

Einheit
Breite der Raumladungszone, die an der Grenzschicht zwischen dem p- und n-dotierten Halbleiter entsteht.

Externe Spannung

Einheit
Externe Spannung, die am p-n-Übergang angelegt wird. Je nach dem, wo ihr Plus- bzw- Minuspol ist, ist die p-n-Diode in Sperr- oder Durchlassrichtung geschaltet.

Akzeptorkonzentration

Einheit
Akzeptorkonzentration ist die Dichte der Dotieratome in der p-Schicht. Akzeptoren sind Atome, mit denen die p-Schicht dotiert wurde.

Donatorkonzentration

Einheit
Donatorkonzentration ist die Dichte der Dotieratome in der n-Schicht. Donatoren sind Atome, mit denen die n-Schicht dotiert wurde.

Diffusionsspannung

Einheit
Diffusionsspannung ist die elektrische Spannung, die in der Raumladungszone entsteht.

Elektrische Feldkonstante

Einheit
Elektrische Feldkonstante ist eine Naturkonstante mit dem Wert: \( \varepsilon_0 = 8.854 \, 187 \,\cdot\, 10^{-12} \, \frac{ \text{As} }{ \text{Vm} } \).

Relative Permittivität

Einheit
Relative Permittivität ist abhängig vom Medium in der Raumladungszone. Im Vakuum hat sie z.B. den Wert \( \varepsilon_{\text r} ~=~ 1 \).

Elementarladung

Einheit
Elementarladung ist eine Naturkonstante mit dem Wert: \( e = 1.602 \, 176 \, 634 \,\cdot\, 10^{-19} \, \text{C} \).