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Formel Massenwirkungsgesetz Ladungsträgerdichte  

\[ n_{\text i}^2 ~=~ n_0 \, p_0 \] \[ n_{\text i} ~=~ \sqrt{ n_0 \, p_0 } \] \[ n_0 ~=~ \frac{ n_{\text i}^2 }{ p_0 } \] \[ p_0 ~=~ \frac{ n_{\text i}^2 }{ n_0 } \] Formel umstellen

Ladungsträgerdichte

\( n_{\text i} \)
Einheit \( \frac{ 1 }{ \text{m}^3 } \)

Intrinsische Ladungsträgerdichte für undotierte & dotierte Halbleiter im thermischen Gleichgewicht (d.h. bei einer konstanten Temperatur).

Elektronendichte

\( n_0 \)
Einheit \( \frac{1}{\text{m}^3} \)

Elektronendichte freier Elektronen im Leitungsband des Halbleiters.

Löcherdichte

\( p_0 \)
Einheit \( \frac{1}{\text{m}^3} \)

Löcherdichte der (positiv geladenen) Löcher (das sind fehlende Elektronen) im Valenzband des Halbleiters.

Details zum Inhalt
  • Zusammenfassung:Formel "Massenwirkungsgesetz", mit der Du die intrinsische Ladungsträgerdichte eines Halbleiters berechnen kannst.
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