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Mithilfe der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) können Halbleiterheterostrukturen, wie z.B. GaAs, hergestellt werden. Dabei werden in die Reaktionskammer an das Trägergas gebundene Elemente (hier Ga und As) laminar hineingeblasen. Diese reagieren an der Oberfläche des beheizten Substrats und bilden eine Halbleiterschicht. Restgase werden dabei mittels einer Pumpe aus der Reaktionskammer entfernt.