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Prinzipieller Aufbau einer Anlage für die Flüssigphasenepitaxie (LPE: Liquid Phase Epitaxy), mit der beispielsweise Halbleiter-Heterostrukturen kostengünstig und in Massenproduktion hergestellt werden können.
Das beheizte Substrat wird auf einer Platte durch die Schmelze gefahren, um so die Materialschichten aufzubauen. In den Schmelzen befinden sich die abzuscheidenden Materialien (wie z.B. Silizium, Galliumarsenid oder Germanium).
Neben dem illustrierten Gleiten des Substrats gibt es noch andere Variationen der Flüssigphasenepitaxie: Kippen und Eintauchen des Substrats.
