Level 3
Illustration Molekularstrahlepitaxie (MBE)
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Mithilfe dieses prinzipiellen Aufbaus einer Analge zur Molekularstrahlepitaxie (MBE), mit der ein Substrat mit unterschiedlichen Materialien, die aus den beheizten Effusionszellen herauskommen, beschichtet werden kann.
Der ganze Aufbau befindet sich im sehr guten Vakuum in Kombination mit einer As (Arsen) Atmosphäre. Das Substrat wird rotiert, um eine möglichst homogene Beschichtung zu erreichen. Und mittels einer RHEED-Kanone (Elektronenkanone) wird das Schichtwachstum live kontrolliert.
